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Si1926DL
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.7
0.6
V GS = 10 V thr u 5 V
0.4
0.5
V GS = 4 V
0.3
0.4
0.2
0.3
0.2
0.1
0.0
V GS = 3 V
0.1
0.0
T C = 25 °C
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
3
4
3.0
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics Curves vs. Temperature
32
2.5
24
2.0
C iss
1.5
1.0
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
16
C oss
8
0.5
C rss
0.0
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0
10
20
30
40
50
60
10
8
6
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 0.5 A
V DS = 30 V
1.6
1.4
1.2
V DS - Drain-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 10 V, I D = 0.5 A
V GS = 4.5 V, I D = 0.2 A
4
2
0
V DS = 4 8 V
1.0
0. 8
0.6
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 73684
S10-0792-Rev. D, 05-Apr-10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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